The development of laser chemical vapor deposition and focused ion beam methods for prototype integrated circuit modification, Acta Universitatis Ouluensis C Technica 248

Laserkemialliseen kasvatukseen ja fokusoituun ionisuihkuun perustuva menetelmä mikropiirien vika-analyysiin ja kehitystyön nopeuttamiseksi Mikropiirien kehitystyöhön kuuluvassa prototyyppivaiheessa piireiltä löydetään usein vikoja, jotka voivat viivästyttää mikropiirin sisältävän lopputuotteen saamista markkinoille. Viivästymisestä voi seurata valmistajalle merkittäviä suoria ja epäsuoria kustannuksia, ja pahimmassa tapauksessa koko tuotteen markkinointi-ikkunan menetys. Tämä ongelma korostuu varsinkin kulutuselektroniikkatuotteiden ja asiakaskohtaisten mikropiirien (ASIC) kehitystyössä. Tässä väitöskirjassa on kehitetty menetelmä ja laitteisto, joilla vika-analyysissä vaadittavat uudet kytkennät saadaan valmistettua mikropiirille. Menetelmä perustuu organometallisen kupariyhdisteen (kupariheksafluoroasetyyliasetonaattitrimetyylivinyylisilaani) ja nikkelitetrakarbonyylin pelkistämiseen lasersäteen avulla mikropiirin pinnalle johtavaksi metallinauhaksi. Tutkimuksessa havaittiin kupariyhdisteeseen perustuva laserkemiallinen menetelmä nikkelin kasvatusta paremmaksi ja turvallisemmaksi käytännön työssä. Toisena osa-alueena väitöstyössä on tutkittu ja kehitetty fokusoituun ionisuihkuun perustuvaa menetelmää, ja kyetty merkittävästi parantamaan sen tehokkuutta vika-analyysissä yhdistämällä se laserkemialliseen menetelmään. Käyttämällä molempia menetelmiä yhdessä on saavutettu merkittävä parannus sekä nopeudessa että kasvatettujen johtimien sähkönjohtavuudessa. Lisäksi yhdistetyllä menetelmällä on ollut mahdollista käsitellä vika-analyysiongelmia, joita kummallakaan menetelmällä yksistään ei olisi ollut mahdollista tehdä. Tutkimukseen perustuva laitteisto on myöhemmässä vaiheessa kaupallistettu.

ISBN-10:
951-42-8139-X
Kieli:
ENGL
Tekijät:
Remes Janne
Tuotekoodi 013624
12,00 €